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- 型号： MRF7S19170HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19170HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19170HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19170HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19170HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19170HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19170HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9–2.0 GHz 频段设计（典型用于 PCS/DCS/WCDMA/LTE 基站）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站、微基站的末级功放，支持多载波 WCDMA 和 LTE-Advanced（如 2×20 MHz 载波聚合），具备高增益（≥18 dB）、高效率（典型 55% 漏极效率）和优异线性度，满足 ACLR 要求。 - 无线基础设施设备：广泛用于 4G LTE 及向 5G 过渡阶段的分布式单元（DU）、射频拉远单元（RRU）中，支持高平均输出功率（170 W P1dB，140 W 连续波），配合预失真技术实现高效线性放大。 - 工业与专用通信系统：适用于点对点微波回传、公共安全宽带网络（如 TETRA、P25 增强型）、以及小功率雷达或测试仪器中的射频激励级。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优良热管理能力与高可靠性，支持连续波及脉冲工作模式，符合 RoHS 且通过 AEC-Q100 认证（部分版本），适用于严苛环境下的长期运行。需搭配匹配电路、稳定偏置（推荐 Class AB）及良好散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19170HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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