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- 型号： MRF7S19100NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19100NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19100NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19100NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19100NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19100NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19100NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD/TDD 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中继站的末级功放，支持 1.8–2.0 GHz 频段，具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型漏极效率达 65% @ 1960 MHz）和优异线性度，满足 4G LTE 及部分 5G Sub-6 GHz 前传/分布式基站需求。 - 无线基础设施设备：用于多载波宽带放大系统，支持 20–40 W 平均输出功率（采用 DPD 数字预失真技术），适配 3G/4G 多标准共模平台。 - 工业与专用通信系统：如公共安全无线电（TETRA/LMR）、点对点微波回传链路中的中功率射频发射模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），支持高可靠性连续波（CW）及脉冲工作，具备良好热稳定性和ESD防护能力，需配合匹配电路与高效散热设计使用。不适用于消费类低功耗设备或低于 500 MHz 或高于 2.2 GHz 的频段。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7S19100NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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