【未分类_MRF6VP121KHSR6】封装/厂家_MRF6VP121KHSR6中文资料_价格

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型号： MRF6VP121KHSR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP121KHSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP121KHSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP121KHSR6封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6VP121KHSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP121KHSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6VP121KHSR6 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 射频”类别。该器件专为高功率、高频率的宽带射频放大应用设计，典型工作频率范围为 1.2–1.4 GHz（如L波段），峰值输出功率达 1.2 kW（脉冲模式），连续波（CW）输出功率约 600 W，具备高增益（>18 dB）和优异的热稳定性与可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 雷达系统：广泛用于军用/民用一次雷达（如气象雷达、空中交通管制ATC雷达、舰载/机载火控雷达）的发射末级功放，满足高脉冲功率、快速开关及宽温域运行需求；  
✅ 工业射频加热与等离子体发生器：在 1.356 MHz 或 2.45 GHz 等频段的固态射频电源中，经倍频或匹配后用于材料干燥、半导体刻蚀、等离子体清洗等；  
✅ 科研与测试设备：作为大功率射频信号源或EMC抗扰度测试系统的功放模块，支持IEC/EN 61000-4-3标准下的高强度场生成；  
✅ 定制化宽带通信基站原型（非商用主流）：适用于实验性高功率S波段通信或电子战（EW）干扰发射机的前端放大。

注：该器件需搭配专业散热结构（如水冷基板）、阻抗匹配网络及过压/过温保护电路使用，不适用于消费类或低功率场景。其封装为陶瓷金属气密封装（SOT-1227A），强调高可靠性与长寿命，典型应用于严苛工业与国防环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6VP121KHSR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	1000W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	150
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	150mA
频率	1.03GHz
额定电流	100µA