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- 型号： MRF6VP121KHSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP121KHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP121KHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP121KHSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP121KHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP121KHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP121KHSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高功率、高效率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 广播发射系统：适用于 FM 广播（87.5–108 MHz）和 TV 广播（VHF/UHF 波段）的末级功率放大器，支持连续波（CW）或调制信号输出，单管可提供高达 1200W 的峰值功率； - 工业与科学射频加热：如等离子体发生器、介质加热、微波干燥设备中的固态射频电源模块，得益于其高增益（>18 dB）、高漏极效率（典型值达 70% @ 90 MHz）及优异热稳定性； - 通信基础设施：在大功率陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信基站及军用/航空通信系统中，用于 HF/VHF/UHF 频段（30–225 MHz）的宽带线性功率放大； - 测试与测量设备：作为高功率射频信号源或EMC抗扰度测试中的功率放大模块，满足IEC/EN 61000-4-3等标准要求。 该器件采用陶瓷金属气密封装（SOT-1226），具备高可靠性、低热阻和卓越的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1 不损坏），支持连续波与脉冲工作模式，广泛应用于对功率密度、效率和长期稳定性要求严苛的工业级与专业级射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI1230H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6VP121KHSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | - |
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