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型号： MRF6V2010NBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V2010NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V2010NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V2010NBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V2010NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V2010NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6V2010NBR1是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高功率射频应用设计，具有优异的性能和可靠性，适用于以下主要应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - MRF6V2010NBR1广泛用于射频功率放大器中，尤其是在高频通信系统中。它能够提供高增益和高效率，适合需要大功率输出的应用。
   - 应用领域包括无线基站、广播发射机和雷达系统。

 2. 无线通信设备
   - 该晶体管可用于蜂窝网络基础设施中的功率放大模块，支持GSM、CDMA、LTE等通信标准。
   - 在下一代5G网络中，MRF6V2010NBR1也可作为关键组件，用于实现更高的数据传输速率和更广的覆盖范围。

 3. 工业、科学和医疗（ISM）频段
   - 在ISM频段应用中，例如无线能量传输、射频加热和等离子体生成，这款晶体管表现出色。
   - 其高功率处理能力和稳定性使其成为这些领域的理想选择。

 4. 航空航天与国防
   - MRF6V2010NBR1可用于航空航天和国防领域的高性能射频系统，如雷达、电子战设备和卫星通信。
   - 它具备抗干扰能力强、工作温度范围宽的特点，非常适合恶劣环境下的应用。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频信号发生器、频谱分析仪和其他测试设备中，这款晶体管可以提供精确的信号放大功能。
   - 它的线性度和低失真特性确保了测量结果的准确性。

 总结
MRF6V2010NBR1以其卓越的射频性能、高功率处理能力和可靠性，成为多种高要求应用的理想选择。无论是通信、工业还是国防领域，这款晶体管都能满足严格的性能需求，推动技术进步和创新。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V2010NBR1
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272-2
其它名称	MRF6V2010NBR1DKR
功率-输出	10W
包装	Digi-Reel®
噪声系数	-
增益	23.9dB
封装/外壳	TO-272BC
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	30mA
频率	220MHz
额定电流	2.5mA