图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF6V13250HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V13250HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V13250HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V13250HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V13250HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V13250HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6V13250HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高频率通信系统设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射链路：适用于 1.8–2.2 GHz 频段（如 B1/B3/B7/B38/B40 等 4G LTE/5G NR Sub-6 GHz 频段），常用于宏基站或中继站的末级功率放大器（PA），支持高达 250 W 连续波（CW）输出或 130 W 平均功率（采用 DPD 技术时）。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的宽带射频功放模块。 - 广播与雷达系统：可用于 UHF 频段的数字电视（DTV）发射机及部分军用/民用雷达的中功率射频激励级或驱动级。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备优异的热稳定性和高增益（典型 18 dB @ 2.14 GHz），支持高效率（典型 PAE > 65%）和宽瞬时带宽，配合数字预失真（DPD）技术可满足 5G 多载波 OFDM 信号的线性度要求。需搭配匹配电路、散热底板及稳定偏置电源使用。 （注：型号后缀“HSR3”表示卷带包装，不影响电气性能。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V13250HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 230W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 120V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 1.3GHz |
| 额定电流 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6V13250HSR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商