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- 型号： MRF6S9160HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9160HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9160HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9160HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9160HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9160HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9160HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 900–960 MHz 频段设计，典型工作频率为 945 MHz（如 GSM/EDGE 基站应用）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macro Base Station）的末级功放（PA），支持 GSM、EDGE、LTE-FDD 等标准，尤其适用于 900 MHz 频段的高效率、高线性度发射链路。 - 无线基础设施设备：如分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）的中高功率射频模块，满足高增益（典型17.5 dB）、高输出功率（连续波下可达160 W，脉冲模式更高）及良好热稳定性的要求。 - 工业与广播应用：适用于ISM频段（如915 MHz）的射频加热、等离子体发生器、医疗射频设备及窄带无线通信系统中的高可靠性功率放大环节。 该器件采用高热导率陶瓷封装（NI-780H），具备优异的散热性能和长期可靠性，支持高VSWR耐受能力（10:1），适合严苛的商用通信环境。其“HSR3”后缀表明为无铅、符合RoHS的卷带封装版本，便于自动化贴装。 综上，MRF6S9160HSR3 是面向900 MHz无线通信基础设施领域，对功率、效率与可靠性要求严苛场景的关键射频功率器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9160HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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