Datasheet下载- 型号： MRF6S23140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S23140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S23140HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.3–2.4 GHz 频段设计（典型用于 2300–2400 MHz），采用高热效气腔封装（TO-270WB-4），支持连续波（CW）和复杂调制信号（如 OFDM、W-CDMA、LTE）下的高效率、高线性度工作。 其主要应用场景包括： ✅ 4G/LTE 基站功率放大器：广泛用于宏基站和中功率远端射频单元（RRU）的末级功放（PA），支持20–40 W平均输出功率（取决于调制与EVM要求），满足LTE Band 40（2300–2400 MHz）部署需求； ✅ 5G Sub-3 GHz 前传/微基站：在早期5G NSA组网中，兼容2.3 GHz频段的室内分布系统、小型基站及有源天线单元（AAU）辅助功放模块； ✅ 无线宽带通信设备：适用于WiMAX（IEEE 802.16e）、专网无线图传、点对多点（PMP）固定无线接入（FWA）等射频发射系统； ✅ 工业与科研射频源：在EMC测试、射频加热、等离子体激励等需稳定2.3 GHz大功率输出的非通信领域亦有应用。 该器件具备高增益（典型17 dB）、高漏极效率（>60% @ P1dB）、优异的热稳定性和坚固的VSWR耐受能力（10:1），配合匹配电路可实现良好ACLR与EVM性能，是中功率射频发射系统的关键核心器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S23140HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6S23140HSR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商