Datasheet下载- 型号： MRF6S21100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型用于 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站的 2100 MHz 频段）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（RRU）的末级功放模块，支持高线性度、高效率（典型漏极效率 >35% @ 2.14 GHz），满足 LTE-Advanced 和 5G NR Sub-6 GHz 前向兼容需求。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带应用（如 2×20 MHz LTE 载波聚合），具备优异的互调失真（IMD）抑制能力与热稳定性，配合DPD（数字预失真）技术可提升ACLR性能。 - 工业与专用通信系统：在点对点微波回传、公共安全宽带网络（如TETRA增强型）、以及小型化有源天线单元（AAU）中作为可靠射频功放核心器件。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持高功率输出（连续波下典型Pout = 100 W），具备内置ESD保护与高可靠性设计，适用于严苛环境下的长期运行。注意：需配合匹配电路、散热设计及偏置管理使用，不适用于低频或开关电源等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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