Datasheet下载- 型号： MRF6S21050LR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21050LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21050LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21050LR5 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（Remote Radio Head, RRH）的末级功放（PA），支持高线性度、高效率（典型PAE达45%以上）和宽输出功率（连续波下可达50 W，脉冲/调制信号下满足LTE 20 MHz带宽需求）。 - 无线通信基础设施：适用于4G LTE及向5G演进中的中功率基站，兼容DPD（数字预失真）技术，满足ACLR（邻道泄漏比）等严苛线性指标要求。 - ISM频段工业设备：在2.1–2.2 GHz范围内，亦可用于医疗射频消融、工业加热等需稳定大功率射频源的场景（需符合相应EMC与安全规范）。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），具备优异热稳定性与可靠性，支持+28 V单电源供电，内置ESD保护，简化外围电路设计。注意：不适用于低频开关或音频放大等非射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21050LR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400 |
| 功率-输出 | 11.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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