Datasheet下载- 型号： MRF6S21050LR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21050LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21050LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21050LR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21050LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21050LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21050LR5 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频功率MOSFET晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术。该器件主要用于高频、高功率的射频应用，适用于要求高效率和高线性度的系统。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：该器件广泛应用于蜂窝通信系统中的基站功率放大器，如4G LTE和5G NR基站，支持高数据速率和广覆盖范围。 2. 广播发射设备：用于FM广播和电视广播发射机中的射频功率放大模块，提供稳定和高效的信号放大。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器和医疗治疗设备中的射频能量控制系统。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器和功率放大器模块，提供高精度和高稳定性的测试环境。 5. 雷达与国防系统：适用于需要高功率和高频率稳定性的雷达发射机和军用通信设备。 MRF6S21050LR5具有高功率密度、良好的热稳定性和优异的抗失真性能，适合在高要求的射频功率放大场合使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 11.5W NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21050LR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400 |
| 功率-输出 | 11.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.16GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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