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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF6S19200HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19200HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19200HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19200HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19200HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19200HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19200HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达1.9–2.0 GHz，典型输出功率200 W（连续波），专为蜂窝基站发射链路设计。 主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站功率放大器（PA）：用于Bands 1/2/3/25/38/40等1.9 GHz频段，支持高线性度调制（如256-QAM），满足ACLR与EVM严苛指标； - 无线基础设施中的多载波预失真（DPD）系统：凭借高增益（≥17 dB）、高效率（典型PAE >60%）及优异热稳定性，适配数字预失真校准需求； - 远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）：采用陶瓷封装（NI-780H-4L），具备高可靠性与良好散热性，适用于紧凑型户外设备； - 通用宽带射频功率放大模块：在ISM、广播辅助或测试仪器中亦可用于1.8–2.2 GHz宽带应用（需外围匹配优化）。 注意：该器件需配合精确的输入/输出阻抗匹配网络、稳定偏置电路及高效散热设计使用，不适用于消费类或低功耗场景。实际选型请以NXP官方数据手册（Rev. 5, 2021）及最新供货信息为准。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 56W 28V NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19200HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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