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- 型号： MRF6S19100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.9 GHz 频段设计，典型工作频率范围为 1805–1990 MHz（支持 GSM/EDGE、UMTS、LTE FDD Band 2/25/39 等），常用于蜂窝基站的末级功率放大器（PA）。其主要应用场景包括： - 宏基站（Macro Base Station）：作为 2G/3G/4G 小区覆盖的射频功放核心器件，支持高线性度与高效率（典型漏极效率 >65% @ 100W Pout），满足多载波 LTE 信号要求； - 分布式基站（RRU/Remote Radio Unit）：适用于紧凑型远端射频单元，具备良好热稳定性与可靠性（采用陶瓷封装，R5 表示卷带包装）； - 微基站与中继系统：在低功耗、中等输出功率（饱和输出达 100W，典型应用 40–80W）场景下提供高增益（>17 dB）和优异互调抑制性能； - 工业/专用无线通信设备：如公共安全通信、专网 TETRA/LTE 系统中的射频发射模块。 该器件需配合匹配电路、稳定偏置及高效散热设计使用，不适用于消费类终端（如手机），而是面向通信基础设施的中高功率射频前端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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