Datasheet下载- 型号： MRF6S19100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.9 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE-FDD/TDD 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中型基站的末级功放，支持 100 W 连续波（CW）或高峰均比（PAR）信号（如 8–10 dB），在 1.9 GHz 下提供高增益（≥17 dB）、高效率（典型 65% 漏极效率）及优异线性度； - 多载波宽带无线接入系统：兼容 20 MHz 以上带宽信号，满足 LTE-A 和 5G NR Sub-6 GHz 前向兼容需求； - 工业/科研射频源：用于医疗射频加热、等离子体发生器等需稳定高功率射频输出的场合； - 军用与航空通信设备：因具备高可靠性、宽温度范围（−40°C 至 +150°C 结温）及良好抗负载失配能力（VSWR ≥10:1），适用于严苛环境下的战术电台或雷达激励级。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/水冷散热，需配合匹配网络与偏置电路使用，广泛应用于通信基础设施制造商（如爱立信、诺基亚供应链）的射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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