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- 型号： MRF6S19100GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19100GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19100GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19100GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19100GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19100GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19100GNR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为蜂窝基站发射链路设计。其典型应用场景包括： - 4G LTE 及 5G Sub-6 GHz 宏基站功率放大器（PA）：工作频段覆盖 1805–1990 MHz（如 PCS、DCS、LTE Band 3/25/38/40 等），支持高线性度多载波信号放大； - 远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）：凭借高增益（典型17 dB）、高效率（典型65% @ P1dB）及优异的热稳定性，适用于紧凑型、高可靠性室外设备； - 宽带连续波（CW）或 OFDM 信号放大：支持高达100 W平均输出功率（峰值功率约400 W），满足高PAR（峰均比）通信标准需求； - 工业与广播类射频应用：如无线宽带接入（WIMAX）、公共安全通信系统等中高频段大功率发射模块。 该器件采用气腔封装（NI-780GH），集成ESD保护与优化的输入/输出阻抗匹配，简化外围电路设计，并支持推挽或Doherty架构以提升整机效率与线性度。需配合NXP推荐的偏置电路、散热方案及驱动级设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V TO-270-2 GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19100GNR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htmhttp://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 22W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | - |
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