Datasheet下载- 型号： MRF6S18140HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18140HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18140HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18140HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18140HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18140HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18140HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 和 1930–1990 MHz），主要用于蜂窝通信基站的射频功率放大级。其典型应用场景包括： - 4G LTE 宏基站（Macro Base Station） 的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率（典型漏极效率达 55% @ 1.84 GHz），满足 ACLR 和 EVM 严苛指标； - 5G NR Sub-6 GHz 基站 中兼容 LTE 的多模多载波（如 2×20 MHz CA）发射链路，凭借高增益（>17 dB）和140 W 输出功率（连续波）支撑大规模 MIMO 前传需求； - 直放站（Repeater）与分布式天线系统（DAS） 的远端射频单元（RRU），适用于中等功率、高可靠性场景； - 广播/专用无线通信 中需宽带高功率放大的场合（如公共安全集群通信）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性（MTTF > 100万小时），支持+28 V 或 +32 V 单电源供电，需配合匹配网络与高效散热设计使用。不适用于消费类小信号或开关电源应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S18140HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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