Datasheet下载- 型号： MRF6S18140HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18140HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18140HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为1.8–2.0 GHz频段设计（典型用于1800–2000 MHz），额定输出功率达140 W（连续波），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：广泛用于4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站、微基站的末级功率放大器（PA），支持多载波信号（如20 MHz带宽内多载波WCDMA/LTE），具备优异的ACPR（邻道功率比）和EVM（误差矢量幅度）性能。 - 无线基础设施设备：适用于分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及远程射频单元（RRU）中的宽带射频功放模块。 - 工业与广播应用：可用于ISM频段（如1900 MHz）的工业加热、等离子体发生器，以及低功率电视/无线麦克风中继发射器等需稳定高功率射频输出的场合。 该器件采用陶瓷封装（TO-270WB-4），具备高热稳定性与可靠性，支持高电压（VDD=28 V）工作，内置ESD保护，适配匹配电路简洁的设计需求。需配合NXP推荐的驱动级放大器（如MRF6P20140H）及优化的输入/输出阻抗匹配网络使用，以实现最佳线性度与效率平衡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S18140HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6S18140HR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商