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- 型号： MRF6S18100NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18100NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18100NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18100NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18100NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18100NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18100NR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计，典型应用包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站及微基站的末级功放（PA），支持高线性度、高效率（典型 PAE > 55% @ 1.96 GHz）和大输出功率（连续波输出达 100 W，脉冲/平均功率适用多载波信号）。 - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）及小基站（Small Cell）中的宽带射频功放模块，满足高可靠性与热稳定性要求（采用陶瓷封装，耐高温、低热阻）。 - ISM 频段工业应用：适用于 1.8–2.0 GHz 范围内的医疗射频设备（如射频消融）、工业加热及科研射频源等需稳定大功率输出的场景。 该器件支持 Doherty 架构、数字预失真（DPD）校准，具备优异的增益（约 17 dB）、高输入/输出回波损耗及良好的长期可靠性，符合通信设备严苛的 MTTF（平均无故障时间）标准。注意：实际使用需严格遵循 NXP 推荐的偏置电路、匹配网络及散热设计（建议强制风冷或水冷）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2704 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S18100NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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