【未分类_MRF5S9150HR3】封装/厂家_MRF5S9150HR3中文资料_价格

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型号： MRF5S9150HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9150HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9150HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9150HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S9150HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9150HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S9150HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率放大应用设计。其典型工作频率为 900–960 MHz（如 GSM/EDGE 基站频段），输出功率可达 150 W（连续波），具有高增益（约 17 dB）、高效率（典型值 >65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站：广泛用于 2G/3G/GSM/EDGE 宏基站及分布式基站的末级功率放大器（PA）；  
✅ 无线基础设施设备：如直放站、室内分布系统（IBS）、小型基站（Small Cell）中的射频功放模块；  
✅ 工业与广播应用：适用于 UHF 频段的 RFID 读写器激励级、医疗射频加热设备、以及低功率电视/无线广播发射模块；  
✅ 测试与仪表：作为射频信号源或功率放大模块，用于通信设备产线校准与EMC测试系统。

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性散热设计，符合RoHS标准，适用于严苛的长期连续运行环境。需配合匹配网络、偏置电路及稳定保护电路（如VSWR保护、过温关断）使用，以发挥最佳性能。  

（字数：298）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S9150HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	33W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.7dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1.5A
频率	880MHz
额定电流	10µA