【未分类_MRF5S9100MBR1】封装/厂家_MRF5S9100MBR1中文资料_价格

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型号： MRF5S9100MBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9100MBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9100MBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9100MBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S9100MBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9100MBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S9100MBR1 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900–1000 MHz 频段设计，典型工作频率为 945 MHz（如 GSM/EDGE 基站频段），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型 65%）及 100 W 连续波（CW）输出功率能力。

其主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站功放：广泛用于 900 MHz 频段宏基站、微基站的末级功率放大器（PA），支持 GSM、CDMA、LTE-FDD 及 NB-IoT 等制式；  
✅ 无线基础设施设备：如直放站、分布式天线系统（DAS）、小基站（Small Cell）中的射频功率模块；  
✅ 工业与广播应用：适用于 UHF 频段的射频加热、等离子体发生器及低功率电视/广播激励器等需稳定高功率射频输出的场景；  
✅ 测试与仪表系统：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC 测试系统的激励级放大。

该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备优异热稳定性与可靠性，支持连续波及复杂调制信号（如 OFDM、64-QAM）工作，内置ESD保护，并兼容主流偏置电路设计。需配合匹配网络、散热器及稳定偏置电源使用，常与NXP配套驱动器（如MW6IC2240N）协同构建多级PA链路。

（注：型号中“-”品牌实为 NXP；“MRF5S9100MBR1”为完整型号，其中“R1”表示卷带包装。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S9100MBR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272 WB-4
功率-输出	20W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.5dB
封装/外壳	TO-272BB
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	26V
电压-额定	68V
电流-测试	950mA
频率	880MHz
额定电流	10µA