Datasheet下载- 型号： MRF5S19130HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19130HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19130HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高功率、高效率的宽带射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：广泛用于 1.8–2.2 GHz 频段（如 PCS、AWS、Bands 1/2/25/38/41）的宏基站和中继站末级功率放大器（PA），支持 LTE、5G NR（Sub-6 GHz）等多标准通信系统。 - 无线通信系统：适用于点对点微波回传、公共安全通信（如 TETRA、P25）、广播辅助发射及小型化分布式天线系统（DAS）中的高线性度射频功放模块。 - 工业与科研设备：在射频加热、等离子体发生器、MRI 射频源及 EMC 测试用宽带功率放大器中，发挥其高增益（典型17 dB @ 1.96 GHz）、高输出功率（连续波下130 W，脉冲模式更高）和良好热稳定性优势。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热性能和可靠性，支持偏置电压 VDD = 28 V，工作结温可达 +200°C。其高效率（典型 65% @ 1.96 GHz）和宽频带特性，显著降低系统功耗与冷却成本，适用于严苛环境下的长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19130HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 26W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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