Datasheet下载- 型号： MRF5S19090HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19090HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19090HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19090HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19090HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19090HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S19090HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9 GHz 频段设计（典型工作频率：1805–1990 MHz），额定输出功率达 90 W（连续波，CW）。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站射频功放：广泛用于 2G/3G/4G LTE 宏基站及微基站的末级功率放大器（PA），尤其适配 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE FDD/TDD 系统中的 1.9 GHz 频段（如 PCS1900、DCS1800 上行/下行链路）。 - 无线基础设施设备：集成于远端射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）和分布式基站中，支持高效率（典型 PAE ≥ 60%）、高线性度与良好热稳定性。 - 工业与通信测试设备：用作射频信号发生器、功率放大模块或EMC测试系统的宽带激励源放大器（需搭配匹配电路）。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异的可靠性与鲁棒性（抗VSWR耐受能力达10:1），支持高增益（典型 >17 dB）和低热阻，适用于连续波及复杂调制信号（如OFDM、WCDMA）下的高平均功率运行。注意：实际应用需严格遵循NXP推荐的偏置条件、输入/输出匹配网络及散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S19090HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 18W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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