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- 型号： MRF5S18060NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S18060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S18060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S18060NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S18060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S18060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S18060NBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为1.8–2.0 GHz频段设计（典型用于PCS/DCS/WCDMA/LTE基站），采用气腔陶瓷封装，具备高增益（典型17 dB）、高效率（典型65%）和60 W连续波（CW）输出功率能力。 主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）的末级功放（PA），支持多载波WCDMA/LTE系统，满足ACLR和EVM等严苛线性度要求； - 无线基础设施设备：如分布式基站（BBU+RRU架构）中的远程射频单元（RRU），适用于室内覆盖、微站及小型基站； - ISM频段工业应用：在1.8–2.0 GHz范围内兼容部分工业、科学与医疗（ISM）设备的射频加热或等离子体激励等中功率固态放大场景； - 宽带通信与测试系统：作为通用宽带射频功率模块，用于实验室信号源、EMC抗扰度测试放大器或定制化通信原型机。 该器件需配合匹配电路、稳定偏置（典型Vds=28 V，Idq≈300 mA）及高效散热设计使用，不适用于开关电源或低频开关应用。其“NBR1”后缀表示卷带包装，面向自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF SGL STAGE TO-272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S18060NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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