Datasheet下载- 型号： MRF5P21240HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5P21240HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5P21240HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF5P21240HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5P21240HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5P21240HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5P21240HR6 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝/微蜂窝功率放大器。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站发射链路：作为末级功率放大器（PA），支持高线性度调制（如 20 MHz 256-QAM OFDMA），满足 ACLR（邻道泄漏比）和 EVM（误差矢量幅度）严苛指标； - 多载波宽带应用：具备高增益（典型18 dB）、高输出功率（连续波下240 W，脉冲或平均功率模式下支持120–180 W），适用于多载波WCDMA/LTE系统； - 广播与专用无线通信：可用于公共安全、应急通信及点对点微波回传系统的中高功率射频发射模块； - 工业与医疗射频源：在非通信领域，亦可应用于RF加热、等离子体发生器等需稳定大功率射频输出的设备。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，支持高效率（典型PAE > 60% @ P3dB），并内置ESD保护，适用于严苛环境下的长期连续运行。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5P21240HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 52W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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