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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF377HR5是一款射频功率晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。其主要应用场景集中在高频射频功率放大领域,具体包括以下方面: 1. 无线通信系统: MRF377HR5广泛应用于无线通信基础设施,如基站、中继站等。它能够提供高功率输出和良好的线性度,适用于VHF/UHF频段的信号放大。 2. 广播系统: 在广播电视(如FM/AM广播)中,该器件可用于射频功率放大器,以提高信号覆盖范围和传输质量。 3. 工业、科学与医疗(ISM)应用: 该型号适合用于ISM频段内的设备,例如微波加热、等离子体生成和射频能量传输等需要高效功率转换的应用。 4. 业余无线电: 射频爱好者可以使用MRF377HR5设计高性能的业余无线电发射机或线性放大器,支持更高的输出功率。 5. 测试与测量设备: 在实验室环境中,这种晶体管可集成到信号发生器、频谱分析仪或其他需要高功率射频源的仪器中。 6. 雷达和导航系统: MRF377HR5能够满足某些脉冲雷达和导航系统的功率放大需求,提供稳定的射频性能。 技术特点: - 高功率处理能力,适用于宽范围频率。 - 低热阻设计,有助于提高散热效率。 - 良好的增益和效率表现,确保系统优化运行。 总之,MRF377HR5凭借其出色的射频性能和可靠性,在各种需要高功率射频放大的场景中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 32V 240W RF PWR |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF377HR5 |
| rohs | |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-860C3 |
| 其它名称 | Q2202731 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-860C3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 17A |