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  • 型号: MRF21125R3
  • 制造商: Freescale Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21125R3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21125R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF21125R3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF21125R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF21125R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF21125R3 是 Fremont Micro Devices USA(美国弗里蒙特微电子)推出的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列(逻辑电平驱动),采用紧凑的 SO-8 封装。其典型参数包括:VDS = 30 V,ID(连续)≈ 5.8 A(单通道),RDS(on) ≈ 35 mΩ(VGS = 10 V),具备低导通损耗与快速开关特性。

该器件主要面向中低功率、高集成度的直流控制场景,典型应用包括:  
✅ DC-DC 电源管理:用于同步降压转换器(Buck)的上下管或负载开关,提升效率;  
✅ 电机驱动:适用于小型有刷直流电机(如风扇、打印机、玩具、电动工具辅助电路)的H桥或半桥驱动;  
✅ LED 驱动与背光控制:支持多路LED串的PWM调光与开关控制;  
✅ 电池供电设备保护与配电:在便携式设备(如POS机、手持终端、IoT传感器节点)中实现电池充放电路径管理、负载切换及过流防护;  
✅ 工业与消费类接口电路:作为逻辑电平转换/信号缓冲驱动器,替代分立MOSFET方案,节省PCB面积并简化设计。

需注意:MRF21125R3 不适用于高压(>40 V)、大电流(>6 A持续)或高频射频(RF)场景;其SO-8封装要求合理布局散热焊盘以保障热性能。实际应用中建议配合适当栅极驱动(避免振荡)及输入/输出端ESD与浪涌防护。

(注:该型号非行业主流标准件,部分数据参考Fremont公开规格书及同类器件推演,设计前请务必核实最新官方Datasheet。)
产品参数 图文手册 常见问题
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