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- 型号： MRF21085LSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21085LSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21085LSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF21085LSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF21085LSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21085LSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF21085LSR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.7 GHz，适用于蜂窝通信基础设施中的宏基站和小基站（Small Cell）射频末级功放（PA）。 主要应用场景包括： ✅ 4G LTE 和 5G NR 基站发射链路：支持多载波（如 2×20 MHz LTE）信号放大，在2.6 GHz频段（如B7/B38/B41/B42等）实现高输出功率（典型P1dB ≈ 85 W，GaN-equivalent级性能）与高效率（>65% 在9 dB OP1dB回退点）。 ✅ 宽带无线接入系统：如WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX及未来扩展的Sub-6 GHz 5G MIMO系统，得益于其优异的互调失真（IMD3）抑制能力和宽带匹配特性。 ✅ 工业与广播类射频源：适用于医疗射频消融设备、等离子体发生器、RF加热等中高频功率应用（需配合合适散热与偏置电路）。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1222A），具备高可靠性、优良热稳定性及集成ESD保护，支持AB类或Doherty架构设计。需搭配NXP推荐的驱动级（如MRF21060）、匹配网络及精密栅极偏置（VGS ≈ 2.7 V，IDQ ≈ 1.2 A）以发挥最佳线性与效率平衡。 注：实际应用须严格遵循NXP官方数据手册（Rev. 2, 2022）、PCB布局指南及热管理规范，避免过压/过温导致失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF21085LSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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