【未分类_MRF21060R3】封装/厂家_MRF21060R3中文资料_价格

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型号： MRF21060R3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21060R3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21060R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF21060R3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF21060R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21060R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF21060R3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS MOSFET），专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 LTE Band 1/3/25/38 等），输出功率可达 60 W（连续波，CW）或更高（脉冲模式），具备高增益（约 17–19 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝通信基站：用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站、微基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于中功率远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）。  
✅ 无线基础设施设备：如直放站、分布式天线系统（DAS）和小基站（Small Cell）中的宽带射频功放模块。  
✅ 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、无线宽带接入（WiMAX 曾用，部分存量系统）、雷达激励级放大等中频段高可靠性射频链路。  

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），支持高功率密度安装与高效散热，内置ESD保护，符合RoHS标准。需配合匹配网络、偏置电路及稳定电源使用，常搭配NXP推荐的驱动级芯片（如MMRF1022）构成完整PA方案。

注：MRF21060R3 已进入NXP产品生命周期管理的“不推荐用于新设计（NRND）”阶段，新项目建议评估替代型号（如MRF21060HR3或最新AFM系列），但仍在大量在产设备中服役。

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