【未分类_MRF21045LSR3】封装/厂家_MRF21045LSR3中文资料_价格

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型号： MRF21045LSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF21045LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF21045LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF21045LSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF21045LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF21045LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF21045LSR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2.11–2.17 GHz，支持 LTE/5G Sub-6 GHz 应用）。其主要应用场景包括：

1. 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 4G LTE 和 5G NR 宏基站、微基站的末级射频功放（PA），支持高效率（典型 PAE ≥ 55%）、高线性度和宽瞬时带宽，满足多载波信号（如 20 MHz × 4）的ACLR要求。

2. 小基站与有源天线单元（AAU）：凭借紧凑的SO-8封装（含金属散热底座）和优异热性能（RθJC ≈ 0.4°C/W），适用于空间受限、需高效散热的分布式皮基站（pico/femto cell）及Massive MIMO AAU模块。

3. 无线基础设施测试设备：作为信号发生器、功率放大模块或OTA测试系统中的宽带激励源，提供稳定输出（典型Pout = 45 W CW / 60 W PEP）。

4. 专用通信系统：适用于公共安全宽带（如TETRA增强型、FirstNet）、WLAN 6 GHz前向兼容设备及工业无线回传等中功率射频发射场景。

该器件支持50 V单电源供电，内置ESD保护，符合RoHS标准，强调高可靠性与长期稳定性，是面向现代移动通信基础设施的关键射频功率器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF21045LSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400S
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15dB
封装/外壳	NI-400S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	500mA
频率	2.16GHz
额定电流	10µA