【未分类_MRF19085LSR3】封装/厂家_MRF19085LSR3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 未分类 > 其它 > MRF19085LSR3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF19085LSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19085LSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19085LSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19085LSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF19085LSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19085LSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF19085LSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），输出功率可达 85 W（连续波，CW），具备高增益（典型值约 17 dB）、高效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 无线通信基站：用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站或微基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于 2.1 GHz 频段（如 Band 1/ Band 34/39）。  
✅ 广播与宽带射频系统：适用于数字电视（DTMB/TD-LTE 共模）发射机、公共安全通信（如 TETRA、P25）及宽带中继设备中的线性功放模块。  
✅ 工业与科研射频源：在 RF 加热、等离子体发生器、MRI 射频激励等需要稳定 CW 输出的工业射频电源中作为核心放大器件。  

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222-1），支持法兰安装与强制风冷/水冷散热，内置ESD保护和优化的输入/输出阻抗匹配（50 Ω 兼容设计），简化外围电路布局。需配合NXP推荐的偏置电路与稳定性网络使用，以确保全频带无条件稳定及满足ACLR/ACPR等线性度指标。

注意：实际应用中须严格遵循NXP官方数据手册（DS-MRF19085LSR3）的PCB布局、热管理及驱动要求，避免自激或热失效。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF19085LSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	18W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	13dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	26V
电压-额定	65V
电流-测试	850mA
频率	1.93GHz
额定电流	10µA