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产品简介:
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MR2A16AMYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 4Mb(512K × 8)工业级非易失性磁阻式随机存取存储器(MRAM),采用SOIC-32封装,读写速度达35ns(访问时间),支持并行接口,工作温度范围为–40°C 至 +85°C,并具备无限次读写、断电数据永久保持(≥20年)、抗辐射与高可靠性等特性。 其典型应用场景包括: ✅ 工业自动化与PLC系统:用作程序/参数存储,在频繁开关机或意外断电时确保配置与状态零丢失; ✅ 航空航天与国防电子:在高振动、宽温、强电磁干扰环境中替代EEPROM/Flash,用于飞行控制、黑匣子数据缓存; ✅ 医疗设备:如影像设备、监护仪中存储校准参数、实时日志,满足IEC 62304安全要求; ✅ 智能电表与能源管理系统:记录关键计量数据,无需备用电池即可实现掉电瞬时保存; ✅ 嵌入式工控主板:作为启动代码(Boot ROM)或高速数据缓冲区,兼顾速度与非易失性优势。 该器件不适用于大容量通用存储(如SSD),而是面向对数据完整性、写入耐久性及实时性要求严苛的嵌入式关键任务场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR2A16AMYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 4M (256K x 16) |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |