Datasheet下载- 型号： MR2A08AMYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR2A08AMYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR2A08AMYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR2A08AMYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR2A08AMYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR2A08AMYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 是一家专注于非易失性存储器技术的公司，其型号 MR2A08AMYS35R 是一款 8Mbit 的 MRAM（磁阻式随机存取存储器）。该存储器结合了 RAM 的高速特性和 Flash 的非易失性优势，适用于对数据保存可靠性与读写速度有高要求的场景。 该产品的典型应用场景包括： 1. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机中，确保在断电情况下关键数据不丢失，提高系统稳定性。 2. 网络与通信设备：在网络交换机、路由器和基站控制器中用于高速缓存和配置存储，支持快速启动和实时数据记录。 3. 汽车电子：适用于车载记录系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）及远程信息处理设备，满足汽车环境对高可靠性和宽温范围的需求。 4. 医疗设备：用于便携式诊断仪器和病人监护设备中，确保数据实时存储与断电保护，提升设备安全性与可靠性。 5. 航空航天与国防：适合高可靠性要求的军事通信、导航系统和嵌入式控制系统，支持在极端环境下稳定工作。 综上，MR2A08AMYS35R 凭借其高速、非易失、低功耗和高耐用性，广泛应用于需要数据持久性和高性能存储的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR2A08AMYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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