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产品简介:
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Everspin Technologies Inc. 是一家专注于非易失性存储器技术的公司,其型号为 MR25H10MDCR 的产品是一款 10 Mbps 的独立式 MRAM(磁阻式随机存取存储器)。该存储器具有非易失性、高速读写、无限次写入寿命和低功耗等特性,适用于对数据存储可靠性与性能要求较高的场景。 MR25H10MDCR 常用于工业控制、自动化设备、智能电表、数据记录仪、网络基础设施设备以及航空航天和汽车电子等领域。在这些应用场景中,它可作为 SRAM 或 Flash 的替代方案,尤其适合需要频繁写入、快速存取和断电后数据保持的场合。例如,在工厂自动化系统中用于存储关键运行数据,在通信设备中用于缓存配置信息,在智能电网设备中用于记录实时数据和事件日志。 该器件采用 SPI 接口,兼容广泛控制器,便于集成。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)和高可靠性设计也使其适用于恶劣环境下的长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR25H10MDCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP,大型标志(5x6) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |