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  • 型号: MR256A08BYS35R
  • 制造商: EVERSPIN TECHNOLOGIES
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MR256A08BYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR256A08BYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR256A08BYS35R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MR256A08BYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MR256A08BYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MR256A08BYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 256Kb(32KB)串行SPI接口的自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。其核心特性包括:非易失性、无限读写耐久性(>10¹⁵次)、高速读写(35ns访问时间,支持40MHz SPI时钟)、宽温工作范围(–40°C 至 +85°C)及抗辐射、抗强磁场能力。

典型应用场景包括:  
1. 工业自动化与PLC:在断电瞬间实时保存关键运行参数、状态寄存器和I/O配置,无需备用电池或电容,提升系统可靠性;  
2. 汽车电子:用于ADAS控制器、车载网关或域控制器中存储校准数据、故障码(DTC)、黑匣子日志等需高可靠、长寿命、宽温特性的关键信息;  
3. 航空航天与国防:适用于飞行控制、导航系统等对单粒子翻转(SEU)免疫、耐受极端温度与振动的嵌入式存储场景;  
4. 医疗设备:在便携式监护仪、植入式设备(如起搏器调试模块)中安全持久保存配置与事件日志,满足功能安全(IEC 61508/ISO 26262)要求;  
5. 高端服务器与网络设备:作为BIOS/固件配置缓存或硬件日志缓冲区,替代EEPROM/Flash,规避写延迟与擦除限制问题。

该器件采用SOIC-8封装,引脚兼容部分SPI Flash,便于现有设计升级。其“上电即用、无延迟写入、数据保持超20年”特性,使其成为对数据完整性、实时性与长期稳定性要求严苛领域的理想嵌入式非易失存储方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP

产品分类

存储器

品牌

Everspin Technologies Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MR256A08BYS35R

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

44-TSOP2 (10.2x18.4)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

MRAM(磁阻 RAM)

存储容量

256K (32K x 8)

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

35ns

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