Datasheet下载- 型号： MR0A08BYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A08BYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A08BYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A08BYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A08BYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A08BYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR0A08BYS35R 是一款 8Mb（1Mb × 8）的非易失性自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用35ns高速异步SRAM兼容接口（3.3V供电），具备字节级读写、无限次擦写、断电数据永久保持（≥20年）、高抗辐射与宽温工作（–40°C 至 +85°C）等特性。 其典型应用场景包括： ✅ 工业自动化与PLC系统：作为程序/参数存储器，在频繁启停、突发断电环境下确保控制逻辑和配置数据零丢失； ✅ 网络通信设备：用于路由器、交换机中的MAC地址表、路由缓存或固件暂存，兼顾高速访问与断电可靠性； ✅ 航空航天与国防电子：在高振动、强辐射、宽温环境中替代EEPROM/Flash，承担关键状态记录、黑匣子数据缓存及FPGA配置存储； ✅ 医疗设备：支持植入式或便携式诊断设备中实时生命体征日志、校准参数的即时持久化保存； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 2）：用于ADAS控制器、域控制器中的故障码记录、传感器标定数据及启动配置，满足功能安全（ISO 26262）对数据完整性的严苛要求。 该器件无需待机电源或电容备份，简化了系统设计，显著提升可靠性与使用寿命，是高可靠性嵌入式系统中替代传统NVSRAM、FRAM或带备份电池SRAM的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR0A08BYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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