Datasheet下载- 型号： MR0A08BYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A08BYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A08BYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A08BYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A08BYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A08BYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的 MR0A08BYS35R 是一款8兆位（1M×8）的串行SPI接口MRAM（磁阻随机存取存储器），属于非易失性存储器。其主要应用场景包括工业自动化、嵌入式系统、网络通信设备和高可靠性数据记录系统。 该器件具备高速读写、无限次写入耐久性和断电后数据长期保持的特点，适用于需要频繁写入且对数据完整性要求高的环境。典型应用包括PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和电机驱动器中的配置与日志存储；在通信设备中用于快速缓存和固件存储，确保系统重启时迅速恢复状态。 此外，MR0A08BYS35R工作温度范围宽（-40°C至+105°C），适合严苛工业环境。其SPI接口兼容性强，易于集成到现有系统中，替代传统EEPROM或SRAM加备份电源方案，简化设计并提升可靠性。也常用于医疗设备、航空航天及轨道交通等对数据安全和系统稳定性要求极高的领域。 总之，MR0A08BYS35R凭借非易失性、高耐久性和快速写入优势，广泛应用于需可靠、实时数据存储的工业与嵌入式场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR0A08BYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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