Datasheet下载- 型号： MR0A08BSO35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A08BSO35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A08BSO35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A08BSO35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A08BSO35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A08BSO35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的MR0A08BSO35是一款非易失性磁阻式随机存取存储器（MRAM），其主要应用场景包括： 1. 工业自动化：适用于需要高速、高可靠性和数据持久性的工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和实时数据采集系统。 2. 网络与通信设备：用于路由器、交换机等通信设备中，作为快速存储配置数据和临时运行数据的存储解决方案。 3. 汽车电子：在车载控制系统（如发动机控制单元、ADAS系统）中，用于存储关键运行数据或配置信息，具备抗振动和宽温工作能力。 4. 航空航天与国防：因具备高可靠性和抗辐射特性，适用于对稳定性要求极高的军事和航天设备。 5. 医疗设备：用于需长期保存校准数据或患者信息的医疗仪器中，保障断电后数据不丢失。 6. 物联网（IoT）设备：适合低功耗、小体积需求的边缘计算节点，实现快速启动与数据缓存功能。 该产品采用8位并行接口，容量为8Mbit，读写速度快、耐用性强，无需备用电源即可实现非易失性存储，适用于需要频繁写入且对数据保留有高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 32SOICNVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Everspin Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Everspin Technologies MR0A08BSO35- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MR0A08BSO35 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 32-SOIC |
| 其它名称 | 819-1027 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Everspin Technologies |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-32 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工作电流 | 55 mA |
| 工厂包装数量 | 108 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 108 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 系列 | MR0A08B |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |
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