Datasheet下载- 型号： MR0A08BCYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A08BCYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A08BCYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A08BCYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A08BCYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A08BCYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR0A08BCYS35R 是一款 8-Mbit（1 M × 8）的非易失性自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用 35ns 快速读写访问、工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、SOIC-32 封装，并支持3.3V供电。 其核心应用场景聚焦于对数据可靠性、写入耐久性、低延迟和断电即时保存有严苛要求的嵌入式系统。典型应用包括： ✅ 工业自动化与PLC：作为程序/参数存储器，在频繁断电、振动或宽温环境下替代EEPROM/Flash，实现毫秒级断电数据零丢失； ✅ 网络通信设备：用于交换机、路由器中的控制平面缓存、配置寄存器备份及状态日志记录，利用其近乎无限的读写寿命（>10¹⁵次）避免Flash擦写磨损； ✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 2）：应用于ADAS域控制器、车身控制模块中存储校准数据、故障码（DTC）及安全关键配置，满足功能安全对非易失性与快速写入的需求； ✅ 医疗设备与航空航天：在需高辐射容限、长生命周期及零电池备份的场景中，替代SRAM+电池方案，简化设计并提升可靠性； ✅ 实时数据采集系统：如智能电表、传感器节点，可高速捕获瞬态事件数据并即时持久化，无需等待Flash编程延时。 该器件不适用于大容量主存储或消费类低成本场景，而是以“SRAM般的接口性能 + EEPROM/Flash的非易失性”优势，解决传统存储在关键任务系统中的瓶颈问题。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR0A08BCYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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