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  • 型号: MPSW55G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPSW55G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSW55G价格参考。ON SemiconductorMPSW55G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPSW55G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSW55G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPSW55G 是安森美(ON Semiconductor)出品的一款通用NPN型双极结型晶体管(BJT),具有高增益、低饱和压降和良好开关特性,常用于中小功率模拟与开关应用。其典型应用场景包括:  
1. 信号放大:在音频前置放大、传感器信号调理等低频小信号放大电路中,利用其hFE(直流电流放大系数)达100–300(@IC=10mA),实现稳定线性放大;  
2. 开关控制:广泛用于继电器驱动、LED/小型电机控制、逻辑电平转换等数字接口电路,支持快速开关(fT≈150MHz),且饱和压降低(VCE(sat)≈0.15V @ IC=10mA),功耗小;  
3. 电源管理辅助电路:如LDO使能控制、电压检测、上电复位(POR)电路中的基准偏置或比较器输出级;  
4. 工业与消费类电子:常见于家电控制板、电源适配器反馈环路、玩具及IoT设备的简单逻辑开关模块。  

该器件采用TO-92封装,成本低、易焊接、兼容通孔工艺,适合对可靠性与性价比要求较高的中低速应用。注意:不适用于高频射频或大功率(IC>500mA)场景,设计时需留足散热余量并校验驱动能力。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP GP BIPO 1W 60V TO-92

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MPSW55G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 10mA,250mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 250mA,1V

供应商器件封装

TO-92

功率-最大值

1W

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 长体

晶体管类型

PNP

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

频率-跃迁

50MHz

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