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  • 型号: MPSW51AG
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPSW51AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSW51AG价格参考。ON SemiconductorMPSW51AG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPSW51AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSW51AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPSW51AG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。它是一种 NPN 型晶体管,广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或放大元件。以下是 MPSW51AG 的一些典型应用场景:

 1. 开关应用
   - 负载控制:MPSW51AG 可用于控制小型电机、LED 或继电器等负载的开关。通过将基极电流设置为适当的值,可以实现对负载的精确控制。
   - 电源管理:在低功耗系统中,MPSW51AG 可用作简单的开关元件,以控制电源通断或调节电流。

 2. 信号放大
   - 音频放大:在低功率音频设备中,MPSW51AG 可用于放大弱电信号,例如麦克风输入信号。
   - 传感器信号放大:该晶体管适用于放大来自温度传感器、压力传感器或其他低电平信号源的微弱信号。

 3. 脉冲调制与驱动
   - PWM 驱动:MPSW51AG 可用于脉宽调制(PWM)电路中,驱动 LED 或小功率直流电机,实现亮度调节或速度控制。
   - 逻辑电平转换:在不同电压电平之间进行信号转换时,MPSW51AG 可作为电平转换器使用。

 4. 保护电路
   - 过流保护:通过设计合适的外围电路,MPSW51AG 可用于检测和限制过大的电流,从而保护其他敏感元件。
   - 逆向电流保护:在电池供电设备中,该晶体管可用于防止电流反向流动。

 5. 射频与通信
   - 虽然 MPSW51AG 主要针对低频应用,但在某些低频射频电路中,它也可以用作信号调制或解调的元件。

 特性优势
- 高增益:MPSW51AG 具有较高的电流增益(hFE),适合需要高灵敏度的应用。
- 低饱和电压:在开关应用中表现出较低的导通损耗。
- 可靠性强:ON Semiconductor 的产品以高质量和稳定性著称,适合工业级和消费级应用。

总结来说,MPSW51AG 是一款通用性强的 NPN 晶体管,适用于多种低功率电子电路中的开关和放大场景。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路和工作条件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 1W 40V TO-92两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSW51AG-

数据手册

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产品型号

MPSW51AG

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

700mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 100mA,1V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92

其它名称

MPSW51AGOS

功率-最大值

1W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 长体

封装/箱体

TO-92-3 (TO-226)

工厂包装数量

5000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

55

系列

MPSW51

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 0.7 V

集电极连续电流

- 1 A

频率-跃迁

50MHz

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