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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSW51AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSW51AG价格参考。ON SemiconductorMPSW51AG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPSW51AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSW51AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSW51AG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。它是一种 NPN 型晶体管,广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关或放大元件。以下是 MPSW51AG 的一些典型应用场景: 1. 开关应用 - 负载控制:MPSW51AG 可用于控制小型电机、LED 或继电器等负载的开关。通过将基极电流设置为适当的值,可以实现对负载的精确控制。 - 电源管理:在低功耗系统中,MPSW51AG 可用作简单的开关元件,以控制电源通断或调节电流。 2. 信号放大 - 音频放大:在低功率音频设备中,MPSW51AG 可用于放大弱电信号,例如麦克风输入信号。 - 传感器信号放大:该晶体管适用于放大来自温度传感器、压力传感器或其他低电平信号源的微弱信号。 3. 脉冲调制与驱动 - PWM 驱动:MPSW51AG 可用于脉宽调制(PWM)电路中,驱动 LED 或小功率直流电机,实现亮度调节或速度控制。 - 逻辑电平转换:在不同电压电平之间进行信号转换时,MPSW51AG 可作为电平转换器使用。 4. 保护电路 - 过流保护:通过设计合适的外围电路,MPSW51AG 可用于检测和限制过大的电流,从而保护其他敏感元件。 - 逆向电流保护:在电池供电设备中,该晶体管可用于防止电流反向流动。 5. 射频与通信 - 虽然 MPSW51AG 主要针对低频应用,但在某些低频射频电路中,它也可以用作信号调制或解调的元件。 特性优势 - 高增益:MPSW51AG 具有较高的电流增益(hFE),适合需要高灵敏度的应用。 - 低饱和电压:在开关应用中表现出较低的导通损耗。 - 可靠性强:ON Semiconductor 的产品以高质量和稳定性著称,适合工业级和消费级应用。 总结来说,MPSW51AG 是一款通用性强的 NPN 晶体管,适用于多种低功率电子电路中的开关和放大场景。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路和工作条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 1W 40V TO-92两极晶体管 - BJT 1A 50V 1W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSW51AG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MPSW51AG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 100mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 其它名称 | MPSW51AGOS |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 55 |
| 系列 | MPSW51 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.7 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |