Datasheet下载- 型号： MPS650ZL1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPS650ZL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPS650ZL1G价格参考。ON SemiconductorMPS650ZL1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPS650ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPS650ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPS650ZL1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型通用双极结型晶体管（BJT），采用TO-92封装，具有高电流增益（hFE典型值达200–400）、最大集电极电流IC = 1 A、最高集电极-发射极电压VCEO = 60 V，适用于中功率开关与线性放大场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用作开关管，驱动继电器、LED灯条、小型直流电机或风扇等负载； 2. 信号放大：在低频音频前置放大、传感器信号调理（如温度/光敏电阻输出的微弱信号放大）中作为小信号放大器； 3. 逻辑电平转换与接口电路：在MCU（如STM32、Arduino）GPIO驱动能力不足时，作为电平移位或电流增强级，控制更高电压/电流外设； 4. 消费电子与家电：广泛用于机顶盒、打印机、空调控制板、充电器次级侧反馈电路等成本敏感、可靠性要求适中的场合； 5. 工业控制模块：作为PLC输入/输出扩展板中的隔离驱动元件，配合光耦实现弱电控制强电。 该器件具备良好的热稳定性与一致性，且符合AEC-Q200标准（部分批次），亦可用于车载非安全关键系统（如车窗控制、仪表背光）。其TO-92封装便于手工焊接与维修，适合中小批量生产及原型开发。 注意：不推荐用于高频（>10 MHz）或大功率（连续功耗＞0.5 W）场景，此时应选用RF晶体管或MOSFET替代。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN GP 2A 40V TO-92 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MPS650ZL1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | MPS650ZL1GOSCT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 75MHz |
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