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  • 型号: MPS650G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPS650G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPS650G价格参考。ON SemiconductorMPS650G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPS650G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPS650G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPS650G 是安森美(ON Semiconductor)推出的NPN型通用双极结型晶体管(BJT),具有高电压(VCEO = 80 V)、中等电流(IC = 500 mA)、高增益(hFE 典型值达100–300)及TO-92封装等特点。其主要应用场景包括:

1. 开关控制:广泛用于中小功率开关电路,如继电器驱动、LED/指示灯控制、电机启停、电源使能信号切换等,凭借其快速开关特性与可靠饱和导通能力。

2. 线性放大:适用于低频信号放大,如传感器信号调理(温度、光敏等模拟前端)、音频前置放大(非Hi-Fi级)、工业控制中的基准信号缓冲等。

3. 电源管理辅助电路:在离线式AC-DC适配器、LED驱动器或DC-DC转换器中,常作为反馈光耦驱动、过压保护比较器输出级、基准电压稳压等辅助功能的有源器件。

4. 工业与家电控制板:因其成本低、稳定性好、温度范围宽(–65°C 至 +150°C),常见于白色家电(洗衣机水位检测、风扇调速)、工业PLC输入/输出模块、安防设备(红外接收放大)等场景。

需注意:MPS650G不适用于高频射频或大功率开关(如PWM主功率级),也不推荐用于精密模拟电路(如高精度运放输入级)。设计时应合理设置基极限流电阻,确保工作在安全区(SOA),并注意PCB散热与引脚布局以保障长期可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN SS 2A 40V TO92两极晶体管 - BJT 2A 60V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPS650G-

数据手册

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产品型号

MPS650G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

75 @ 1A,2V

产品目录页面

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产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

MPS650GOS

功率-最大值

625mW

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

75 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92-3 (TO-226)

工厂包装数量

5000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

75

系列

MPS650

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

75MHz

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