Datasheet下载- 型号： MPLAD6.5KP16AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD6.5KP16AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD6.5KP16AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD6.5KP16AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD6.5KP16AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD6.5KP16AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD6.5KP16AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率瞬态电压抑制二极管（TVS），属于大功率轴向引线型 TVS，典型峰值脉冲功率达 6500W（10/1000μs 波形）。其击穿电压（VBR）最小为17.8V，最大钳位电压（VC）约25.8V（在峰值脉冲电流IPP≈252A时），适用于严苛的浪涌防护场景。 主要应用场景包括： - 工业电源与控制系统：用于保护PLC、变频器、工业开关电源输入端免受雷击感应浪涌或开关操作引起的高压瞬变； - 通信设备接口防护：如RS-485/RS-232接口、以太网供电（PoE）前端，防止EMI及雷电耦合浪涌损坏后级芯片； - 交通运输电子系统：车载电源模块、轨道信号设备中应对负载突降（Load Dump）及反向电压尖峰； - 可再生能源系统：太阳能逆变器直流侧输入端，抵御雷击或电网切换引发的高压浪涌； - 医疗与仪器仪表：保障高可靠性设备在电磁环境复杂场所（如医院配电系统）中的安全运行。 该器件具备AEC-Q200兼容性（E3后缀代表符合JEDEC标准的环保封装），具有低箝位比、快速响应（<1ns）、高可靠性及宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C），特别适合需长期稳定运行且对瞬态防护等级要求高的中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 16VWM 26VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129479-rf01083 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD6.5KP16AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7553 |
| 功率-峰值脉冲 | 6500W （6.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 17.8V |
| 电压-反向关态（典型值） | 16V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 26V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 250A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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