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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP280AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP280AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP280AE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MPLAD30KP280AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPLAD30KP280AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP280AE3 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的高能量TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于MPLAD系列,专为极端浪涌防护设计。其关键参数包括:反向 standoff 电压 280V,击穿电压约311V,峰值脉冲功率高达30kW(10/1000μs波形),峰值脉冲电流达67A,响应时间<1ns。 典型应用场景包括: - 工业电源系统:用于保护高压直流母线、变频器、PLC电源输入端免受雷击感应浪涌或开关操作引起的高压瞬变; - 通信基础设施:部署于基站电源入口、光模块供电接口,抵御AC/DC电源耦合进来的EFT(电快速瞬变)和雷击浪涌; - 铁路与轨道交通设备:满足EN 50155等标准,防护牵引系统、信号控制单元中因电磁兼容(EMC)问题引发的高压尖峰; - 新能源领域:在光伏逆变器直流侧或风电变流器前端,抑制雷电或电网扰动导致的共模/差模过压; - 军用与航空航天电子:凭借高可靠性(符合MIL-STD-750/2021等测试)、宽温工作范围(–65°C 至 +175°C)及无铅(RoHS)封装(DO-214AB/SMC),适用于严苛环境下的关键电路保护。 该器件采用轴向引线封装(带环氧树脂包封),具备优异的热稳定性和长期耐浪涌能力,常作为一级(粗保护)或与MOV、GDT协同构成多级防护方案中的核心钳位元件。