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- 型号： MPLAD30KP20AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP20AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP20AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP20AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP20AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP20AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP20AE3 是 Vishay（威世）生产的大功率TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列，专为高能量浪涌防护设计。其关键参数：反向关断电压VWM = 20 V，击穿电压VBR ≈ 22.2–24.5 V，峰值脉冲功率PPPM高达30 kW（10/1000 μs波形），峰值脉冲电流IPP约1000 A，响应时间<1 ns。 典型应用场景包括： - 工业自动化设备：用于PLC、变频器、伺服驱动器的电源输入端或通信接口（如RS-485）端口，抵御雷击感应浪涌和开关操作引起的高压尖峰； - 通信基站与网络设备：保护直流供电系统（如+24 V/+48 V电源总线）及以太网端口免受EFT（电快速瞬变）和雷电浪涌冲击； - 新能源系统：在光伏逆变器直流侧、储能BMS采样电路或电池管理系统中，防止因线路耦合或接地异常导致的瞬态过压损坏敏感IC； - 轨道交通与电力监控终端：满足严苛EMC要求（如IEC 61000-4-5 Level 4），用于轨旁控制单元的电源与信号端口二级防护（常与GDT或PTC配合构成多级防护）。 该器件采用DO-218AB封装，具备低钳位电压（VC ≈ 32.4 V @ IPP）、高可靠性及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于需长期稳定运行、抗高能干扰的关键电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 20VWM 34VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP20AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7393 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 22.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 20V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 34V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 882A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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