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- 型号： MPLAD30KP15AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD30KP15AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD30KP15AE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD30KP15AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD30KP15AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD30KP15AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD30KP15AE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高能量TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列，专为极端浪涌防护设计。其核心参数：反向关断电压VWM = 15V，击穿电压VBR ≈ 16.7–18.5V，峰值脉冲功率高达30kW（10/1000μs波形），峰值脉冲电流IPP可达~1,400A，响应时间<1ns。 典型应用场景包括： - 工业自动化系统：保护PLC输入/输出端口、现场总线（如Profibus、CAN总线）接口免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击； - 通信基础设施：用于基站电源输入、以太网供电（PoE++）前端、xDSL线路保护，抵御AC/DC电源耦合的高压瞬变； - 交通运输电子：车载信息娱乐系统、列车控制单元中12V/24V电源轨的二级过压防护（常与GDT或压敏电阻协同构成多级防护）； - 可再生能源设备：太阳能逆变器直流侧输入端，抑制雷电或电网切换引起的高压尖峰； - 医疗设备：保障生命支持类设备（如监护仪外设接口）满足IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2kA）浪涌抗扰度要求。 该器件采用轴向引线DO-214AB（SMC）封装，具备高可靠性、低钳位电压（VC ≈ 24.4V @ IPP）和优异的重复浪涌耐受能力，适用于需承受严苛电磁环境的高价值电子系统前端防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 15VWM 25.8VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9523-mplad30kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD30KP15AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7361 |
| 功率-峰值脉冲 | 30000W （30kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 16.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 15V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 25.8V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1164A （1.164kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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