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- 型号： MP6M11TCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MP6M11TCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MP6M11TCR价格参考。ROHM SemiconductorMP6M11TCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MP6M11TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MP6M11TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MP6M11TCR 是一款由 ROHM（罗姆）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（含内置栅极电阻与ESD保护），采用小型 TSOP-6 封装。其典型应用场景包括： • DC-DC 电源管理：常用于同步降压转换器（Buck Converter）的下管（low-side switch），配合外部高端驱动或控制器，实现高效率、小体积的电源模块，适用于便携式设备（如TWS耳机充电仓、智能手表、蓝牙模块等）。 • 负载开关与电源路径管理：利用其低导通电阻（Rds(on) ≈ 28 mΩ @ Vgs=4.5V）和快速开关特性，可作为电池供电系统中的智能负载开关，实现上电时序控制、反向电流阻断及功耗优化。 • 电机驱动与LED驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）或多路LED背光的PWM调光驱动，双通道结构便于简化PCB布局并节省空间。 • 工业与IoT传感器节点：在低功耗无线传感终端中，用于外设供电使能控制，支持待机模式下的零静态电流关断，延长电池寿命。 该器件具备±2000V HBM ESD防护、100% Rg测试及热增强设计，适合对可靠性、尺寸和能效有较高要求的消费电子与嵌入式应用。不适用于高压（>20V）或大电流（持续>3A）场景，需注意散热与驱动电压匹配（推荐Vgs ≥ 2.5V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MP6M11TCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 98 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | MP6M11TCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
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