Datasheet下载- 型号： MMUN2231LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2231LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2231LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2231LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2231LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2231LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2231LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（典型R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-23小体积封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、Arduino）IO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化外围电路（无需外接偏置电阻）； 2. 开关控制应用：作为低功耗、中速开关（fₜ≈250MHz，开关时间纳秒级），适用于电源使能控制、负载开关、传感器信号调理中的有源开关； 3. 电流限制/恒流源基础单元：配合外部元件可构建简易恒流LED驱动或基准电流源； 4. 工业与消费类电子：广泛用于打印机、家电控制板、IoT终端、电池供电设备等对成本、尺寸和可靠性敏感的场景。 该器件具备±50V VCEO耐压、100mA IC额定电流、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V@10mA），支持-55℃~+150℃宽温工作，符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦可用于汽车电子辅助电路（如车身控制模块中的状态指示）。其预偏置结构显著提升设计效率与一致性，降低PCB面积与BOM成本。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2231LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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