【未分类_MMUN2116LT1】封装/厂家_MMUN2116LT1中文资料_价格

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型号： MMUN2116LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2116LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2116LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2116LT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMUN2116LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2116LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMUN2116LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，内置基极-发射极间电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极间电阻（R2=10kΩ），即“10kΩ/10kΩ”配置，属于数字晶体管（Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括：

1. 逻辑电平接口转换：将微控制器（如GPIO 3.3V/5V）的低电流输出直接驱动负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），无需外置偏置电阻，简化PCB设计。

2. 开关应用：用作低功耗、中速（fₜ≈250MHz）开关，适用于便携设备中的LED指示灯控制、蜂鸣器驱动、信号选通等。

3. 输入信号调理：在传感器接口或按键消抖电路中，作为施密特触发预驱级，利用其内置电阻提供稳定偏置，增强抗干扰能力。

4. 替代传统分立偏置方案：在空间受限的消费电子（如手机配件、TWS耳机充电仓、智能穿戴设备）中，以单颗器件替代“BJT+2电阻”方案，提升可靠性并降低BOM成本与贴片工时。

该器件最大集电极电流I_C=100mA，V_CEO=50V，饱和压降低（V_CE(sat)≈0.25V @ I_C=10mA），适合3.3V–5V供电系统。不适用于线性放大或高精度模拟电路，主要面向数字开关场景。

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