Datasheet下载- 型号： MMUN2114LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2114LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2114LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2114LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2114LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2114LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2114LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），简化外围电路设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）IO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到负载的可靠开关控制。 - 小功率开关应用：适用于低电流负载（≤100 mA）的通断控制，如状态指示灯、蜂鸣器驱动、传感器使能信号控制等。 - 替代传统“三极管+两个偏置电阻”方案：在空间受限的消费电子（如遥控器、充电器、智能穿戴设备）中，显著减少PCB面积与贴片元件数量，提升生产良率与可靠性。 - 工业与家电控制板：用于PLC输入缓冲、电机启停辅助信号调理、电源待机控制等对成本与可靠性敏感的场景。 该器件具备SOT-23封装、高直流电流增益（hFE ≥ 80 @ Ic = 5 mA）、快速开关特性（tₒₙ/tₒff 约数十纳秒），支持-55°C~+150°C宽温工作，但不适用于大功率放大或高频射频场合。选型时需注意最大集电极电流（Ic = 100 mA）、功耗（Pd = 200 mW）及饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25 V @ Ic = 10 mA）等参数匹配实际负载需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2114LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2114LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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