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  • 型号: MMT10B260T3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMT10B260T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT10B260T3G价格参考。ON SemiconductorMMT10B260T3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMT10B260T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMT10B260T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMT10B260T3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的晶闸管型瞬态电压抑制器(TVS Thyristor),专为高能量、高可靠性过压保护设计。其典型应用场景包括:

- 通信接口保护:用于RS-485、RS-232、CAN总线等工业通信端口,抵御雷击感应浪涌(如IEC 61000-4-5 Level 3/4)及静电放电(ESD);  
- 电源输入端防护:在AC-DC或DC-DC电源模块的初级/次级侧,配合MOV或保险丝,提供快速导通(<1 μs)、低钳位电压(VDRM=260 V)的过压闭锁保护;  
- 工业控制与自动化设备:如PLC I/O模块、传感器接口、继电器驱动电路,防止感性负载关断产生的反向高压尖峰;  
- 智能电表与能源管理系统:满足IEC 61000-4-4(EFT)和IEC 61000-4-5(Surge)严苛标准,保障计量精度与长期运行可靠性;  
- 汽车电子外围电路(非安全关键):适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中12 V/24 V供电线的浪涌防护(符合AEC-Q101认证,具备高结温耐受能力)。

该器件采用SMB(DO-214AA)封装,具有低漏电流(<5 μA)、高保持电流(IH≈150 mA)及优异的重复性,适用于需“失效开路”或“锁定导通”特性的高鲁棒性保护方案。注意:不适用于高频信号线直接串联保护(因寄生电容较大),需结合前端滤波或隔离设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

THYRIST TSPD BIDIR 100A 200V SMB

产品分类

TVS - 晶闸管

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMT10B260T3G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

元件数

1

其它名称

MMT10B260T3GOSCT

包装

剪切带 (CT)

封装/外壳

DO-214AA,SMB

标准包装

1

电压-导通

320V

电压-断态

200V

电压-通态

5V

电容

200pF

电流-保持(Ih)

150mA

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

100A

电流-峰值脉冲(8/20µs)

-

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