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- 型号： MMSZ5264BT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5264BT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5264BT3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5264BT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5264BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5264BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5264BT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为33 V（容差±5%），功率为350 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器复位电路提供稳定33 V基准电压； 2. 过压保护（钳位）：与TVS或串联限流电阻配合，限制敏感电路节点（如通信接口、电源输入端）的瞬态电压，防止超过33 V； 3. 电源反馈环路：用于低成本开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈电路中，辅助设定输出电压； 4. 信号电平箝位：在模拟信号调理或工业I/O模块中，将信号峰值限制在33 V以内，避免后级器件击穿； 5. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组单体电压监测电路中的分压/限幅保护环节（需注意其33 V额定值适用于中高压场景，如12S锂电组总压约48–54 V时的单节间接监控辅助电路）。 该器件具有低泄漏电流（IR ≤ 100 nA @ 24.9 V）、良好温度稳定性及AEC-Q200认证（适用于汽车级应用），因此也常见于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境。需注意：不可直接用于大电流稳压，应配合限流电阻使用，并确保功耗不超过350 mW。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 60V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5264BT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 46V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 60V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 170 欧姆 |
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